1907 Г. Дж.Раунд – свечение кристаллов SiC 1923 О.В.Лосев – электролюминесценция в диодах Шоттки на SiC 1960-1970 Первые светодиоды на основе GaAs, GaP и их твердых растворов 1989 Х.Амано, И.Акасаки, университет Нагои – первый светодиод на основе GaN со слоем p-типа 1993-1995 Ш.Накамура, Nichia Chemical – первые светодиоды синего и зеленого цвета на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN 1996 Ш.Накамура, Nichia Chemical – первый светодиод белого цвета на основе системы синий InGaN/GaN-кристалл и YAG люминофор 2003 Lumileds Lighting – мощный белый светодиод Luxeon I, световой поток более 25 лм, световая отдача более 20 лм/Вт 2004 Cree Lighting – мощные белые светодиоды XL7090, световой поток около 55 лм, световая отдача около 50 лм/Вт; соответствует аналогам конкурентов – Nichia и Lumileds 2006 Cree Lighting – мощные белые светодиоды XR-E7090, световой поток до 100 лм (80…100 лм), световая отдача 90 лм/Вт 2009 Современное состояние (однокристальные светодиоды): Cree XP-G 130 лм 128 лм/Вт Osram GD+ 112 лм 97 лм/Вт Luxeon Rebel (Philips) 100 лм 80 лм/Вт
Достигнутый уровень эффективности полупроводниковых источников света позволяет использовать их во всех традиционных областях применения.
2005 год: 47 Лм/Вт, 0,15 $/Лм
2009 год: более 100 Лм/Вт, менее 0,02 $/Лм
• Большой ресурс и высокая стабильность световых характеристик
• Широкий спектр оттенков белого цвета – цветовая температура от 2600К до 10000К
• Высокий индекс цветопередачи: CRI>80
• Отсутствие вредных веществ (ртуть, свинец, и т.п.) – Решение проблем с утилизацией источников света
• Хорошая управляемость – Возможность создания энергосберегающих систем управления освещением